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内置650V 高压 MOS 管士兰微SD6604D/SD6602D隔离

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发表于 2016-5-26 10:07:09 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 aalele513 于 2016-5-26 10:11 编辑

SD6604D/SD6602D/SD6603D

SD6604D   18-24瓦   输出280MA 电流方案  单电压  Q Q 2892715427
低成本  DIP封装  散热好  

  SD660X 系列 IC 是一款高精度、低成本的原边反馈 LED 恒流驱动芯片,此芯片采用特有的恒流控制技术,不需要 光隔离器、次级反馈控制、环路补偿及变压器辅助绕组等,降低系统成本和体积,具有非常高的稳定性和平均效率。
    此芯片工作于断续模式,通过峰值电流采样电阻设定输出电流。  

SD660X 为内置650V 高压 MOS 管,适用于输出 功率 15W 以下,其中SD6601S,输出功率为 1-5W,SOP-7 封装。

PCB 布线     
1).尽量减小功率环路的面积,减少 EMI 辐射;  
  2).尽量加大 IC 的DRAIN  引脚覆铜面积,用于增加芯片散热面积;但DRAIN 太大也会影响 EMI 辐射,请做的适当 考虑;  
  3).尽量将VCC 的旁路电容靠近芯片引脚;  
  4).尽量减小采样电阻的地线与功率地的长度;


    典型的选择如输入电容范围为90Vac-264Vac,输入电容大小为2~3uF/W。

整机效率偏低的问题  

   1).变压器设计不合理,比如线径太细、匝数太多、漏感偏大等等因素;

   2).整机系统工作频率太高,导致开关损耗增加;

   3).启动电阻太小,造成高压输入时,损耗加大;

   4).输出整流二极管的选择不当,也会造成效率偏低;


   5).输出滤波电容选择不当,会造成输出损耗偏大,而引起效率偏低;

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发表于 2016-10-11 10:52:34 | 显示全部楼层
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